第93章 最误打误撞的一集(4/7)

部分研究结果掏出来，希望借此获得和东德的合作。

    如果不是阿美莉卡，他们其实完全不介意慢慢研发，慢慢爬科技树。

    东德科学院的一间会议室内，气氛严肃而专注。

    穆勒和汉斯眼前坐着的是赫尔曼教授，负责科研项目决策的专家，除了赫尔曼之外还有马尔蒂斯·法尔特，他是东德半导体的核心人物。

    他正坐在桌前，手中拿着一篇刚刚从中国传来的论文。

    他的眉头紧锁，眼中闪烁着震惊与兴奋交织的光芒。

    法尔特深吸一口气，缓缓开口，声音中透露出难以掩饰的激动：

    “和黄所说的一样，他们构建的这套理论，描述了离子在固体中分布和停留，完全可以看作是这个领域的标准模型。

    它描述了高能离子束轰击硅晶体时，离子在材料中的分布规律。理论的核心是离子能量损失的两种机制，也就是核阻止和电子阻止。

    黄通过求传输方程，给出了离子在材料中的深度分布，它认为这样的分布近似于高斯分布。

    哦天哪！他甚至还根据离子种类和能量，试图去精确计算离子平均的穿透深度和分布的方差。”

    法尔特的手指在论文上划过，指向一幅高斯分布曲线，

    “你们看这里，他们展示了掺杂剂在硅晶体中的深度分布，并用霍尔效应测量验证了结果，模拟与实验数据高度吻合。

    只是受限于实验设备，他们的实验做的比较粗糙，最终离子注入的效果也不够好。

    但他们的实验结果虽然不好，但实验结果和计算模拟的结果非常吻合！

    不愧是黄，在理论物理上的造诣，有着大师级水准。”

    赫尔曼问道：“法尔特教授，有没有可能华国人伪造了实验数据？”

    法尔特摇头道：“没有必要，因为实验我们能够复现。

    他们用来模拟的实验结果用的就是基础设备，又不是二次离子质谱技术。

    总之如果快的话，我们这几天就能模拟一个结果出来，看和华国的模型结果是否一致。

    如果验证成功的话，那么可以证明华国在理论基础、模型构建和模拟计算上确实有自己的一套。”