第91章 新熊猫所带来的震撼（5k）(7/8)

 平面工艺是指通过在硅晶片表面形成氧化层并进行光刻、掺杂等步骤，制造出性能更稳定、一致性更高的晶体管和集成电路。

    平面工艺1959年被研发出来之后，在当下已经成为了技术主流。

    哪怕没有树莓派、林燃的提醒、华国半导体研发力量的集结，这些都没有，原时空里华国电子科技集团第13研究所的前身河北半导体研究所也在1964年开发出了硅外延平面型晶体管。

    六十年代初期，华国在半导体领域一直都有追踪上前沿技术步伐。

    而现在，情况远比原时空要乐观的多，华国全新一代的便携式收音机，已经和西方阵营高级货在质量上有的一拼了。

    这也得益于树莓派带来的一些技术启发，比如发光二极管，就让华国的科学家们意识到硅基掺杂硼（P型）或磷（N型）掺杂剂能够精确控制晶体管的电学性能。

    “不，我感觉这效果已经不仅仅是简单的扩散掺杂了，我怀疑他们搞定了离子植入技术。”穆勒似乎从广播声音中找到了些许灵感。

    在座工程师们面面相觑，因为大家没听说过这玩意。

    “离子注入是什么？”

    “我们都知道掺杂是指在硅中故意引入杂质，以改变其电学性能，形成晶体管和二极管所需P-N结。

    而这种掺杂分两种，一种是扩散，基于高温通过气体将掺杂原子引入到硅晶圆的表面，再扩散到晶格中。”

    “气体扩散这一技术在40年代就出现了，50年代贝尔实验室实现了精确控制，贝尔实验室1951年在《Physical Review》发表的论文里就详细描述了硅晶体管的扩散掺杂，公开了该技术。

    当时晶体管的发明者肖克利提出了另外一项扩散技术，就是离子植入。

    但目前硅谷都不一定实现了量产的离子植入工艺，华国人是怎么搞定的呢？”穆勒百思不得其解，“而且要是真用到了离子植入，30美元一台的价格也未免太便宜了一点。有可能是我猜测错误。

    如果我猜测错误的话，就是华国在气体扩散技术上有所突破，总之无论是哪种可能，我都建议我们要加大和华国的技术交流，我们和华国又没有矛盾，在半导体领域，我们