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第二百八十三章 三年三百亿(3/15)

在这样,我们的工厂建设落后于我们的工艺研发速度!”

    “毕竟现在的工艺推进速度是比较快的,工厂方面也要提前建设,不然来不及。”

    “我们的研发团队判断,未来几年来,随着多重曝光技术以及3D晶体管技术等技术的逐渐成熟,将会高速推进工艺的发展。”

    “我们的研发团队判断,尤其是梁松教授的意见是,最迟今年年底,我们就能够完善十四纳米工艺,进而开始各项测试,为量产进行准备,预计明年上半年就能够投入生产,整体的技术进步速度是比较快的。”

    “后年则是有望进一步推动到十纳米工艺。”

    “大后年则是推动到七纳米工艺!”

    “因为上述一系列的工艺进步,都是基于现有的多重曝光技术以及3D晶体管技术的深度挖掘推进,受到光刻机物理极限的限制,晶体管上的栅极长度技术推进上,整体幅度是比较小的,可能就是两纳米,甚至一纳米的微小进步。”

    “更主要的工艺进步还是基于3D晶体管的设计以及多重曝光技术的提升,而这方面我们的工艺研发部门有比较大的信心。”

    “我们的技术团队判断,在推进到等效七纳米工艺之前,我们不会遇到太大的关键性技术难题,倒是等效七纳米之后的工艺推进会非常麻烦,但这并不是工艺的问题,而是光刻机的问题。”

    “我们的等效七纳米工艺的前期研发里,准备采用的技术就是使用现有的DUV浸润式光刻机进多重曝光,只是这样做生产效率低,而且良率也低,成本会比较高。”

    “技术部门认为,如果要实现比等效七纳米更低的工艺,最好还是使用光源波长更短的EUV光刻机,继续使用DUV浸润式光刻机的话,在成本上很难接受,商业化比较困难。”

    “当然,现在没有EUV光刻机,时间也太早,我们暂时不谈比七纳米更小的未来工艺,我们目前聚焦的还是十八纳米,十四纳米,十纳米以及未来七纳米这四个可以基于现有DUV浸润式光刻机生产的工艺节点。”

    “基于工艺技术的快速进步,我们也需要做好相应的先进生产线的提前准备工作,因此新项目的投资建设是必须的。”

    “毕竟工艺的提升,和

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