第九百八十四章 ：龙藏一代存储产品，对比强悍的美光！(5/6)

的2D NAND，3D TLC存储芯片，它利用了碳纳米管多维度平行、垂直堆叠的方式增加了存储层数，从而在不增加芯片面积的情况下实现了更高的存储容量。”

    “并且，基于碳纳米管材料的优越物理特性，它还在读写速度上实现了质的飞跃。”

    “不仅耐久度相当出色的同时，还能够承受大量读写操作，确保数据中心和服务器环境中的高可靠性和稳定性。”

    “而其低延迟特性使得数据库操作、实时分析等任务能够高效执行，是构建高性能企业级存储系统的理想选择。”

    简单的介绍了一下龙藏一代存储芯片后，付志杰的目光在会场内扫过，微微一笑，接着说道：

    “OK！话不多说，接下来让我们一起来看看它的表现！”

    “哦，对了。”

    似乎是想起了什么，刚要让开身份的他又回过头来，看向全场，接着补充道。

    “这次对龙藏一代存储芯片进行对比测试的，是来自美光科技的企业级，基于LPDDR5 DRAM的通用闪存存储（UFS）多芯片封装产品UMCP5型号！”

    当付志杰的话音落下时，现场一片哗然。

    美光的UMCP5型号存储芯片，居然被星海研究院拿来当做碳基芯片·龙藏一代存储芯片的对比产品了。

    要知道，这可是美光的第一款基于LPDDR5 DRAM的通用闪存存储（UFS）的芯片。尽管它是2020年的产品，但UMCP5型存储芯片的性能放到今天都不差，也不过时。

    其内存带宽高达 6，400 Mb/秒，即使在处理大数据量时，也可为移动用户提供无缝、即时的体验。

    且与与 LPDDR4相比，功耗降低了近 20%的同时，可以允许超过5，000次的擦写，成倍增加了设备的可擦写次数和数据量，而不会降低设备性能。

    此外，uMCP5还集成了96层堆叠的3D NAND闪存，提供了高达256GB的存储容量，并且支持UFS 3.1接口，进一步提升了存储性能和耐用性

    尤其是对于手机行业来说，UMCP5型存储芯片更可谓是革命性的产品。

    它将内存和存储集