第九百八十一章 ：抹黑与无力挣扎~(3/6)

的态度。】

    【如果说《探索·总刊》上的那篇论文是徐教授署名的第一作者，我可能还会相信，但仅仅是挂名一个通讯作者.我甚至怀疑他有没有认真的考察过里面的实验数据。】

    【ε=(ο｀*)))唉，看样子徐教授也在走其他期刊的老路了，《探索》这么好的一个期刊，居然也会刊登这种论文，简直辱没了强电统一理论！】

    【或许徐教授并没有亲自审核这篇论文呢？毕竟他又不是半导体领域的学者，可能是《探索》找的外面的学者做的审核？】

    【但我不相信他对于这件事一点都不知情。】

    不得不说，在半导体领域，这些老牌企业和西方利益集团的实力的确相当的夸张。

    无论是媒体，还是学术界，亦或者是半导体产业界，都有大批的人甚至不乏顶尖的学者与公司企业快速的站了出来，进行站台、支持和反对。

    短短两三天的时间，互联网上，学术界甚至是产业界内部的风声便已经完全反转了。

    从一开始众人对碳基芯片的期待，再到大部分人都开始质疑《探索·总刊》论文上的实验数据可能存在编造。

    这些掌握着世界传播媒体的西方利益集团和占据着硅基半导体产业链的国家与企业，这一次寻找到的突破点或者说‘抹黑点’确实相当的犀利。

    他们并没有去质疑《探索·材料学》上有关于高密集成碳纳米管阵列这项核心技术难题是否已经真实的突破了。

    而是选择了对《探索·总刊》上的碳基芯片数据进行了质疑。

    一方面，这篇论文是仅仅是徐川挂名的通讯作者，而非第一作者。对于外界来说，这意味着可能是只是借助那位徐教授的名气，或者说是挂在他名下的一个科研项目，而非他本人亲自研究的。

    甚至那位徐教授可能都没有完全了解过碳基芯片的具体参数、性能指标等等。

    毕竟是否是他本人亲自完成的，对于学术界和外界来说是两个完全不同的概念。

    虽然说对于操控这一切的资本利益集团来说，徐川挂名通讯作者和第一作者并没有太大的区别。

    毕竟自从这家伙在学术界闯出赫赫声名后，就没有在几篇论文上挂名过通讯作者