第九百七十四章 ：成品：碳基驱动IC芯片！(3/6)

基芯片实验室驶去。

    实验室中，从赵光贵的手中接过了两个用聚碳酸酯材料做出的保护盒，里面装着两块碳基芯片，分别递给了袁周礼和任正斐后，徐川开口说道。

    “这就是我们最新做出来的成品芯片了。”

    “雄芯05号，实验型芯片，采用了28纳米的多重曝光技术，做到了在每平方毫米上集成1000万颗碳基晶体管.”

    就像是捧着一件易碎的稀世珍宝亦或者是一枚璀璨的宝石一般，任正斐小心翼翼的拿捧着这个装有碳基芯片的保护盒，眼中再也没有其他的东西，仿佛这就是他的全世界一样。

    而在他的身旁，科学技术蔀的袁周礼脸上的表情也同样好不到哪里去，满是兴奋激动和震撼。

    “真是迷人.”

    盯着手中的芯片注视了良久，任正斐忍不住发出了一声感慨。

    徐川笑了笑，开口道：“当然了，这可是智慧的结晶，是整个人类文明的未来！”

    微微顿了顿，他接着道：“虽然目前雄芯05号暂时还无法和高端低纳米进程的硅基芯片在性能上相比。”

    “但由碳基晶体管制造的芯片，在理论上来说，潜力要远超由硅基晶体管制成的芯片，无论是从计算性能，还是从晶体管的最小雕刻制程上，都是硅基芯片难以想象的。”

    “按照碳基芯片实验室这边目前的研究进度，在半年内，我们能将碳基芯片的制备技术提高到23纳米级别左右，在一年内，能够将这个进程提升到20纳米。”

    “虽然说这和硅基芯片的7纳米、5纳米还相差甚远。”

    “但凭借碳基晶体管在物理性能上的优越性，我可以毫不夸张的说，20纳米进程的碳基芯片，在性能上，足够比拟硅基芯片的13纳米甚至更低的精密进程。”

    硅基芯片的纳米等级顺序大体上分成了三大类。

    28纳米以上的制程为低端制程。比如130纳米，90纳米，56纳米的制程，凡是高于28纳米的进程，都属于低端制程。

    介于13纳米至28纳米之间的，属于高端制程。

    而精密制程是在13纳米以下的制程，比如说9纳米，7纳米，5纳米，最精密的是3纳米和2纳米