第八百七十九章 ：S级项目！(2/6)

成分衬度、形貌衬度这些数据都有一些明显的变化。

    一旁，赵光贵微蹙着眉头，开口道：“这不应该，HAADF成像与BF、DF成像理论上来说不会出现如此大衬度和能量反应差。”

    虽然说三种成像方式各有差别，形成的图像也会有着差别，但能量和衬度会差距这么大的，很罕见。

    徐川笑了笑，道：“没什么不可能的，如果说这些碳纳米管道与底层衬底形成了掺杂，产生了类似于集成芯片中半导体门的结构，这些差异是可以说得通的。”

    闻言，赵光贵一脸惊诧的看了过来，忍不住询问道：“您是说这些试样表面若存在电位分布的差异，比如类似半导体的 P-N结、加偏压的集成电路等机构，其局部电位的差异影响到了二次电子的轨迹和强度。”

    徐川点了点头，道：“嗯，目前来说这个猜测最有可能解释这种能量与衬度差距。”

    “嘶~”

    赵光贵倒吸了口凉气，惊讶的说道：“如果是这样，这极有可能是一块天然的碳纳米管集成板？”

    盯着手中的实验数据报告文件，徐川思忖着开口道：“不否认这种可能性，不过它是天然碳纳米管集成电路板的可能性在我看来还是很低的。”

    “嗯？”

    闻言，赵光贵和实验室中的其他两名研究员都投来了诧异疑惑的目光。

    按照HAADF成像上的数据来看，这是非常明显的电位衬度差距，而一般来说这种差异通常只会出现在半导体上。

    因为半导体具有局部电位差，在正电位区域，二次电子好像被拉住不易逸出，因此在这些区域，二次电子产额较少，图像上显得较暗；

    相反，在负电位区域，二次电子易被推出，产额较高，在图像上显得较亮，这就是电位衬度。

    一般来说，剖析其他国家的半导体设备，比如芯片，就是通过电位衬度来研究的。

    （这是一枚芯片电镜结构图，可以清楚的看到里面的区别）

    看着手中的实验报告，徐川思忖了一下，开口解释道：“虽然说从扫描图像上来看，在施加偏压的时候在一定程度上具备了半导体性质衬底。”

    “但它和碳基集成管的差距还是很大