第四百九十二章：为量子芯片提供理论基础(5/5)

主要目的就是让过量Cu纳米粒中的Cu原子掺杂进入空穴中，进而产生非平凡的量子现象，促使磁力阱的产生。

    简单的来说，就是磁力阱的产生需要外界补充能量，而高温高压以及导电等方式，就是补充手段和调整Cu原子自旋角度的手段。

    这是纳米级材料与超导体材料的性能和微观结构优化的常用手段之一。

    除了高温高压外，还有渗透生长、溶液法、气相沉积法、物理沉积法等办法。

    但因为需要额外补充能量的关系，这些手段大概都不太适合强化临界磁场的超导体。

    如果高温高压引导法不适合改进型的超导材料，剩下的唯一途径，恐怕就是通过离子注入机来完成了。

    但离子注入机的能级太高，会在较大程度上损坏超导体，降低性能不说，工业化量产也是个相当麻烦的事情。

    毕竟这是原材料的制备，不是半导体的生产，总得考虑性价比和制备难度。

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    (本章完)